集成电路散热板用高导热氮化铝陶瓷基板基片、led氮化铝基板

氮化铝陶瓷基板、基片

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氮化铝（AlN）是共价键化合物，原子晶体，属类金刚石氮化物、六方晶系，纤锌矿型的晶体结构，无毒，呈白色或灰白色，理论密度3.26g/cm3。

氮化铝材料具有如下特性：

(1)高热导率 (理论值约320W/m·K)；
(2)高绝缘性；
(3)低热膨胀系数(4.5×10-6℃)与Si(3.5~4×10-6℃)和GaAs(6×10-6℃)匹配；
(4)电性能优良(介电常数、介质损耗、体电阻率、介电强度)；
(5)机械性能好；
(6)耐腐蚀性好；
(7)光传输特性好；

氮化铝陶瓷已成为新一代大规模集成电路、半导体模块及大功率器件的理想的散热和封装材料，大量应用于HBLED、UVLED封装、大功率集成电路、功率模块、RF射频/微波通讯、汽车电子、微电子半导体、影像传输等领域。 氮化铝陶瓷材料具有优良的热传导性、可靠的电绝缘性、低的介电常数和介电损耗，可用于制造高导热无磁骨架材料、电子基片、微波介电材料、耐高温、绝缘及耐腐蚀结构陶瓷材料制品。氮化铝陶瓷还可用作熔炼有色金属和半导体材料砷化镓的坩埚、蒸发舟、高温绝缘件、微波介电材料、耐高温及耐腐蚀结构陶瓷及透明氮化铝微波陶瓷制品等。

氮化铝陶瓷技术性能参数表一

氮化铝陶瓷技术性能参数表二