高纯NiV镍钒合金磁控溅射平面靶材 镍钒靶材 NiV靶材

镍钒合金靶材，在集成电路制作中一般用纯金做表面导电层，但金与硅晶园容易生成AuSi低熔点化合物，导致金与硅界面粘接不牢固，人们提出了在金和硅晶圆的表面增加一粘接层，常用纯镍做粘接层，但镍层和金导电层之间也会形成扩散，需要再有一阻挡层，来防止金导电层和镍粘接层之间的扩散。阻挡层需要采用熔点高的金属，还要承受较大的电流密度，高纯金属钒能满足该要求。在集成电路制作中会用到镍溅射靶材、钒溅射靶材、金溅射靶材等。镍钒溅射靶材是在制备镍钒合金靶材过程中，在镍熔体中加入钒，使制备出的合金更有利于磁控溅射，结合了镍溅射靶材和钒溅射靶材的优点，可一次完成溅射镍层（粘接层）和钒层（阻挡层）。镍钒合金无磁性，有利于磁控溅射，在电子及信息产业中，正在逐步替代纯镍溅射靶材。下图是镍钒(93/7wt%) 合金溅射靶材的显微金相检测图片,平均粒径<100μm。